Man mache alle Bauteile immer kleiner: Dieses Rezept, das der Computerindustrie 40 Jahre beispiellosen Fortschritts bescherte, stößt heute an elementare physikalische Grenzen. Um die Erfolgsgeschichte dennoch fortzuschreiben, verfolgen Ingenieure aktuell eine Vielzahl neuer Ideen.
Mark Fischetti ist Redakteur bei "Scientific American". Er befasst sich vorwiegend mit Technikthemen.
Vor nunmehr 35 Jahren gab der Elektronikpionier Gordon Moore eine damals äußerst kühne Prognose ab: Die Komplexität der Chips mit integrierten Schaltkreisen, die damals gerade ein paar Jahre alt waren, werde sich alle zwei Jahre verdoppeln. Je nachdem, was man unter "Komplexität" versteht – die Anzahl der Bauelemente pro Quadratzentimeter, die Rechenleistung oder auch die Rechenleistung pro Dollar –, ist an Stelle der zwei Jahre vielleicht eine andere Zeitspanne einzusetzen. Aber davon abgesehen hat sich diese Vorhersage, heute längst als "Moores Gesetz" bekannt, mit bemerkenswerter Genauigkeit bewahrheitet. Durch ständige Innovationen in der Halbleitertechnik sind die Transistoren auf den Chips immer kleiner und die Wege für die elektrischen Signale entsprechend immer kürzer geworden. Das Resultat: Heute können wir für dasselbe Geld die milliardenfache Rechenleistung kaufen wie vor 30 Jahren!
Auf S. 93 wird die CMOS-Technologie als (komplementäre) Metalloxid-Halbleiter-Technologie bezeichnet. Es sind jedoch nicht Metalloxide, die eine Rolle beim Aufbau der Speicherschaltkreise spielen, sondern ein Metall (in diesem Fall Palladium oder Aluminium) und ein Oxid (nämlich Siliziumdioxid) sowie Silizium.
Statt "Indiumphosphat" (Bildlegende S. 94 und Text S. 95) muss es "Indiumphosphid" heißen. Indiumphosphid (InP) ist als Verbindungshalbleiter mit einem "strahlenden" Band-Band-Übergang ein direkter Halbleiter. Indiumphosphat (InPO4) dagegen ist ein ionische Verbindung, die sich weder technologisch in eine Silizium-Technologie einbinden lässt noch, schon allein auf Grund des großen Bandabstandes (Isolator!), optisch aktiv im Sinne von "strahlenden" Rekombinationen von Ladungsträgern sein kann. Der Schreibfehler hat es immerhin bis in die Online-Fachenzyklopädie azo-optics gebracht.
1. Sorgfalt bei Übersetzung
12.02.2011, Dr. Michael Lux, ErfurtStatt "Indiumphosphat" (Bildlegende S. 94 und Text S. 95) muss es "Indiumphosphid" heißen. Indiumphosphid (InP) ist als Verbindungshalbleiter mit einem "strahlenden" Band-Band-Übergang ein direkter Halbleiter. Indiumphosphat (InPO4) dagegen ist ein ionische Verbindung, die sich weder technologisch in eine Silizium-Technologie einbinden lässt noch, schon allein auf Grund des großen Bandabstandes (Isolator!), optisch aktiv im Sinne von "strahlenden" Rekombinationen von Ladungsträgern sein kann. Der Schreibfehler hat es immerhin bis in die Online-Fachenzyklopädie azo-optics gebracht.