Diamantschichten könnten große Bedeutung als aktives Halbleitermaterial für eine Diamantelektronik gewinnen. Voraussetzung dafür ist allerdings, daß sie sich geeignet dotieren und hinreichend defektfrei produzieren lassen. Außerdem muß es möglich sein, sie orientiert auf einkristallinen Fremdsubstraten abzuscheiden – der Fachbegriff dafür ist Hetero-Epitaxie (siehe "Diamant aus heißen Gasen" von Peter K. Bachmann und Ute Linz, Spektrum der Wissenschaft, September 1992, Seite 30).

Weltweit wurde in zahlreichen Forschungs- und Entwicklungslaboratorien über viele Jahre erfolglos an der Hetero-Epitaxie von Diamant auf einem preiswerten, in großen Abmessungen herstellbaren Substratmaterial gearbeitet. Deshalb muß es als großer Durchbruch gelten, daß Xin Jiang und seine Mitarbeiter am Hamburger Laboratorium des Fraunhofer-Instituts für Schicht- und Oberflächentechnik (IST) in Braunschweig nun erstmals orientierte Diamantschichten auf Silicium erzeugen konnten. Der chinesische Wissenschaftler untersucht mit seiner Arbeitsgruppe im Rahmen eines vom Bundesministerium für Forschung und Technologie und von der Daimler-Benz AG geförderten Verbundprojekts zum Thema "Diamant als Elektronikmaterial" unter anderem den Einfluß einkristalliner Substrate auf die Orientierung der aufwachsenden Diamantkristallite .

Diamant besteht aus einem dreidimensionalen kubischen Gitter von Kohlenstoffatomen; die kleinste Baueinheit dieses Gitters, die sogenannte Elementarzelle, ist ein Würfel mit einer Kantenlänge von 0,356 Nanometern (millionstel Millimetern). Ausgehend von der Vorstellung, daß die Hetero-Epitaxie am besten möglich sei, wenn aufwachsende Schicht und Substrat möglichst gleiche Gitterabmessungen hätten, studierten viele Arbeitsgruppen das Wachstum von Diamant auf einkristallinen Unterlagen, deren Gitterkon