{"title":"Oberflchenrekonstruktionen 3","body":"
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Oberflächenrekonstruktionen 3:<\/STRONG> Die Rekonstruktionen der getemperten (111)-Oberflächen von Si (a<\/I>O<\/SUB> = 0,384 nm) und Ge (a<\/I>O<\/SUB> = 0,400 nm). a)-c) Si(111)-(\n
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\n) (b<\/I>O<\/SUB> = 2,69 nm). d)-f) Ge(111)-c(\n
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\n) (\n
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\n = 0,80 nm, \n
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\n = 3,2 nm). a), d) Elektronenbeugungsbilder, b), e) Rastertunnelmikroskopie-Abbildungen; die Abbildungsbedingungen sind so gewählt, daß nur die Adatome sichtbar sind; Bild b): 8,85 nm, Bild e): 9,7 nm. c), f) Modelle der Rekonstruktionen in Aufsicht.<\/P>"}