Sindo Kou und Jia-Jie He von der University of Wisconsin-Madison haben eine Methode entwickelt, um Halbleitermaterialien mit definierter Zusammensetzung aus der Schmelze ziehen zu können. Gegenwärtig angewandte Verfahren führen wegen der Anreicherung von Zuschlägen häufig zu einer inhomogenen Zusammensetzung des entstehenden Halbleiterkristalls. Mithilfe einer neuen Tiegelgeometrie und einer modifizierten Heiztechnik gelingt es diesen Nachteil zu unterbinden. Bestehende Anlagen können nach Aussage der Wissenschaftler mit geringem Aufwand aufgerüstet werden.