Die Eigenschaften von wohlbekannten Halbleitermaterialien lassen sich in geradezu spektakulärer Weise ändern, indem man sie mit mikroskopisch kleinen Löchern versieht. Mit solchen Nanostrukturen wurde beispielsweise bereits Silizium zum Leuchten gebracht. Nun haben zwei Wissenschaftler-Teams Wege gefunden, auch Germanium mit Poren zu versehen.

Die Chemiker Gerasimos Armatas und Mercouri Kanatzidis von der Michigan State University nutzten eine Mischung aus Magnesiumgermanid, in dem das Halbleiterelement negativ geladen ist, und Germaniumtetrachlorid, in welchem es positiv geladen vorliegt [1]. Ihre Kollegen um Sarah Tolbert von der Universität von Kalifornien in Los Angeles setzten in davon unabhängigen Versuchen dagegen auf kleine Germanium-Cluster aus neun Atomen, die zu Ketten verbunden waren [2].

In beiden Fällen entstanden schwammartige Netzwerke, deren Energiestrukturen deutlich verändert waren: Die porösen Halbleiter absorbierten blaueres Licht als herkömmliche Kristalle. Wie stark genau die Verschiebung ist, hängt von der Wandstärke der Schwämme ab, die durch sanfte Oxidierung modifiziert werden kann.

Die gezielte Manipulation der Eigenschaften von Halbleitern könnte sich als nützlich für Anwendungen in Solarzellen, Photodetektoren oder LEDs erweisen. Nach dem Silizium gelangt nun anscheinend auch Germanium in das Blickfeld der Wissenschaftler.