Ein Forscherteam um Walt de Heer vom Georgia Institute of Technology (Atlanta, USA) hat schmale Streifen aus Graphen erzeugt, die einen extrem geringen elektrischen Widerstand aufweisen. Hierfür ätzten die Wissenschaftler in einen Block aus Siliziumkarbid – einer Silizium-Kohlenstoff-Verbindung – winzige Rillen ein und erhitzten ihn mehrere Minuten lang auf über 1000 Grad Celsius. An den Seitenwänden der Rillen entstanden dabei 40 Nanometer (milliardstel Meter) breite Bänder aus Graphen mit sehr glatten Kanten. Schon zuvor war es möglich gewesen, Graphenstreifen herzustellen – allerdings mit relativ stark ausgefransten Kanten, was die elektrische Leitfähigkeit verschlechterte.

Die von de Heers Team erzeugten Graphenstreifen leiten Elektronen 1000-mal schneller als bisher verfügbare. Diese hervorragenden Transporteigenschaften bleiben bis zu einer Streifenlänge von 16 Mikrometern (millionstel Metern) erhalten. Möglicherweise lassen sich damit neue, widerstandsarme elektronische Bauteile mit sehr hohen Arbeitsgeschwindigkeiten entwickeln.